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2024-11
Micro品牌P4KE200A-TP二三极管TVS DIODE 171VWM 274VC DO41的技术和方案应用介绍
Micro品牌P4KE200A-TP二三极管TVS二极管DIODE 171VWM 274VC DO41的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P4KE200A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有出色的浪涌保护性能。它采用DIODE 171VWM技术，具有低电容、低电阻和高能量吸收能力，适用于各种电子设备的电源接口保护。 此外，该器件还采用了274VC封装，具有更小的体积和更高的可靠性。它适用于各种嵌入式系统和物联网设备，提供高效、可靠和安全的电源保护。 此外，DO41是一种技术方案，适
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2024-11
Micro品牌P6KE75CA-TP二三极管TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌P6KE75CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 64.1VWM 103VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌P6KE75CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 64.1VWM技术，具有出色的浪涌保护性能。该器件采用DO15封装，适用于各种电子设备的电源和信号线路保护。 该器件的技术特点包括高浪涌保护能力、低吸收电流、低插入损耗和高反向电压等。这些特性使得该器件在瞬态浪涌事件中能够有效地保护电子设备，防止其受到损坏。 在实际应用中，Micro
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2024-11
Micro品牌P6KE36CA-TP二三极管TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌P6KE36CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 30.8VWM 49.9VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE36CA-TP二三极管是一款高质量的TVS二极管，采用DO15的封装技术。这款二极管在各种恶劣环境下都能够提供出色的保护性能，特别适合用于各种电子设备的电源接口和各种I/O口保护。 TVS二极管是一种瞬态抑制器，能够在瞬间电压浪涌时吸收大量的电流，避免设备受到损害。P6KE36CA-TP具有优异的浪涌抑制特性，适用于各种电源和接口的过压保护。它
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2024-11
Micro品牌P6KE9.1A-TP二三极管TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌P6KE9.1A-TP二三极管TVS二极管DIODE 7.78VWM 13.4VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌推出了一款P6KE9.1A-TP二三极管，其出色的性能和稳定性在电子行业中得到了广泛的应用。该型号的二极管具有7.78VWM的击穿电压和13.4VC的最大耗散功率，适用于各种电路保护和信号调理场合。 该二极管采用DO15的封装形式，具有小巧轻便、易于安装的特点。其快速响应特性使其能够有效地抑制电路中的瞬态干扰，保护电路免受电磁脉冲、静电放电等干扰的影响。
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2024-11
Micro品牌P6KE27A-TP二三极管TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌P6KE27A-TP二三极管TVS二极管DIODE 23.1VWM 37.5VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE27A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 23.1VWM技术，具有出色的电气性能和可靠性。该器件的额定电压为37.5VC，适用于各种电子设备的保护应用。 TVS二极管是一种瞬态抑制器，能够快速响应并吸收瞬态电压、浪涌电流等有害能量，从而保护电子设备不受损坏。P6KE27A-TP二三极管的DO15封装提供了良好的热传导性能和空
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2024-11
Micro品牌P6KE15A-TP二三极管TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌P6KE15A-TP二三极管TVS二极管DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE15A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 12.8VWM技术，具有高能量吸收能力，快速响应速度和出色的钳位电压控制能力。该器件采用DO15封装，适用于各种电子设备和系统中。 该器件在各种应用中具有广泛的应用前景。首先，它适用于电源保护，可以有效防止电源电压波动和干扰，确保系统稳定运行。其次，P6KE15A-TP二三极管可用于
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2024-11
Micro品牌P6KE18A-TP二三极管TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌P6KE18A-TP二三极管TVS二极管DIODE 15.3VWM 25.2VC DO15技术应用介绍 Micro品牌的P6KE18A-TP二三极管是一种常见的TVS二极管，其具有多种技术特点和应用方案。首先，该二极管采用DO15的封装形式，适用于各种环境下的电子设备中。其次，它的额定电压为15.3VWM，最大反向电压为25.2VC，具有高阻抗和低漏电流的特点。 TVS二极管在电路中起到保护作用，可以防止瞬间电压和电流的干扰，确保电路的稳定运行。P6KE18A-TP二三极管的这些
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2024-11
Micro品牌ESDSB5V0T2BHE3-TP二三极管ESD,5V,SOT-23的技术和方案应用介绍
Micro品牌ESDSB5V0T2BHE3-TP二三极管ESD应用技术及方案介绍 Micro品牌ESDSB5V0T2BHE3-TP二三极管是一款适用于ESD保护的高效能电子元件。它采用SOT-23封装，具有高耐压、低漏电流和高频率响应等特性，适用于各种电子设备中的静电保护电路。 ESDSB5V0T2BHE3-TP二极管采用ESD技术，具有极佳的抗静电性能，能够有效防止因静电或电磁干扰而引起的电路故障。其工作电压为5V，适用于各种5V供电设备中。此外，它还具有低漏电流特性，不会对电路的正常工作产
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2024-11
Micro品牌P4KE20A-TP二三极管TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO41的技术和方案应用介绍
Micro品牌P4KE20A-TP二三极管TVS二极管DIODE 17.1VWM 27.7VC DO41的技术和方案应用介绍 Micro品牌P4KE20A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 17.1VWM技术，具有高浪涌电流能力，低电容和低电阻值，以及快速瞬态电压响应特性。此外，它还具有27.7VC的额定电压，适用于各种电子设备和系统中。 该二三极管的方案应用非常广泛，适用于各种环境中的电源保护和信号线路保护。它可以有效地抑制电磁干扰、静电放电等有害脉冲信号的干扰，保护电
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2024-11
Micro品牌SMAJ60CA-TP二三极管TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMAJ60CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 60VWM 96.8VC DO214AC的技术和方案应用介绍 Micro品牌的SMAJ60CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 60VWM技术，具有高浪涌电流能力，适用于各种电子设备。该器件采用DO214AC封装形式，具有优良的电气性能和热稳定性。 该二三极管的优点在于其高浪涌电流能力和快速瞬态保护性能，能够有效抑制瞬态电压和电流的冲击，保护电子设备免受雷击、静电、电源噪声等干扰的影响。此外，该器件还具
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2024-11
Micro品牌P4KE39A-TP二三极管TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO41的技术和方案应用介绍
Micro品牌P4KE39A-TP二三极管TVS二极管DIODE 33.3VWM 53.9VC DO41的应用介绍 Micro品牌的P4KE39A-TP二三极管是一种非常重要的电子元件，它是一种TVS二极管，具有良好的性能和应用范围。P4KE39A-TP二三极管采用了DO41的封装形式，这种封装形式可以提供更好的散热性能和稳定性。 P4KE39A-TP二三极管在各种技术方案中都有着广泛的应用。首先，它可以用于电源保护，有效地抑制电源线上的瞬态电压和电流，保护电源电路免受损坏。其次，它还可以用于
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2024-11
Micro品牌SMF7.5A-TP二三极管TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SOD123FL的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMF7.5A-TP二三极管TVS二极管DIODE 7.5VWM 12.9VC SOD123FL的技术和方案应用介绍 Micro品牌的SMF7.5A-TP二三极管是一种高性能的TVS二极管，它具有DIODE 7.5VWM和12.9VC的技术规格。这种二极管在许多电子设备中都有广泛的应用，特别是在需要高稳定性和高可靠性的应用中。 SMF7.5A-TP二三极管采用了SOD123FL封装形式，这种封装形式具有优良的散热性能和易于安装的特点。它适用于各种电子设备的保护，如计算机、通信设备