Micro品牌ESDLC12VLB-TP二三极管TVS DIODE 12VWM 20VC DFN1006-2的技术和方案应用介绍

Micro品牌ESDLC12VLB-TP二三极管TVS二极管的应用介绍 Micro品牌推出了一款ESDLC12VLB-TP二三极管TVS二极管，具有出色的电气性能和可靠性，适用于各种电子设备。该器件采用DFN1006-2封装技术，具有小巧的尺寸和较低的功耗，适用于空间受限的应用场景。 ESDLC12VLB-TP二三极管TVS二极管的额定电压为12V，最大连续电流为20V，具有快速瞬态抑制能力，能够吸收大量的瞬态浪涌电流，保护电子设备免受浪涌电压的损坏。该器件还具有极低的电容性，可以有效地抑制电

Micro品牌SMCJ14CA-TP二三极管TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMCJ14CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMCJ14CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 14VWM技术，具有高能量吸收能力，快速响应速度和出色的钳位电压控制能力。此外，它还采用DO214AB封装，具有低漏电流、高可靠性等特点。 该二三极管的方案应用非常广泛，适用于各种电子设备和仪器中。它可以在恶劣环境下稳定工作，保护电路免受过压、过流、静电等干扰的影响。同时，它

Micro品牌SMCJ1.5KE51A-TP二三极管TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMCJ1.5KE51A-TP二三极管TVS二极管的应用介绍 Micro品牌的SMCJ1.5KE51A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有多种技术特点和方案应用。该器件采用DO214AB封装，具有43.6V的额定电压和70.1V的箝位电压，适用于各种电子设备的保护应用。 首先，该器件采用微型化的封装形式，具有较小的外形尺寸，适用于空间有限的场合。其次，它具有快速瞬态抑制能力，能够有效吸收瞬态浪涌电流，保护电子设备免受电涌的危害。此外，该器件还具有较小的插入电容，不会对被

Micro品牌SMCJ26CA-TP二三极管TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO214AB的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMCJ26CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 26VWM 42.1VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMCJ26CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 26VWM技术，具有42.1VC的充放电保护能力，并符合DO214AB的封装形式。这款器件广泛应用于各种电子设备中，作为保护电子元件免受电涌和瞬态电压的侵害。 TVS二极管在电路中起到一个等效的作用，当瞬态电压变化时，它可以吸收和转化瞬态能量，从而保护电路免受损坏。SMCJ2

Micro品牌SMCJ1.5KE18A-TP二三极管TVS DIODE 15.3VWM 25.5VC DO214AB的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMCJ1.5KE18A-TP二三极管TVS二极管的应用介绍 Micro品牌的SMCJ1.5KE18A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有多种技术特点和方案应用。该器件采用微型封装，具有高吸收能容量和快速响应能力，适用于各种电子设备的过电压保护。 技术特点： 1. 微型封装：SMCJ1.5KE18A-TP的微型封装使其适用于狭小的空间安装。 2. 高吸收能容量：该器件能够承受高能量瞬态电压冲击，有效保护电子设备不受损坏。 3. 快速响应能力：TVS二极管在瞬态电压波动时

Micro品牌SMCJ8.5CA-TP二三极管TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMCJ8.5CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ8.5CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 8.5VWM技术，具有高浪涌电流能力、低电容、低电阻和快速响应速度等特点。该器件采用先进的DO214AB封装技术，具有更好的热导率和电气性能。 该器件在各种应用场景中具有广泛的应用前景。例如，在通信领域，它可以作为电源保护器件，防止电源线引入的瞬态电压和电流损坏电源电

Micro品牌SMBJP6KE27CA-TP二三极管TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE27CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 23.1VWM 37.5VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJP6KE27CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 23.1VWM技术，具有37.5VC的容量和DO214AA的封装形式。这款二极管在许多应用场景中具有广泛的应用价值。 首先，SMBJP6KE27CA-TP二三极管适用于各种电子设备的保护。在电源电路中，它能够吸收外部干扰和静电放电的冲击，保护电路免受损坏。

Micro品牌SMBJP6KE10CA-TP二三极管TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE10CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 8.55VWM 14.5VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJP6KE10CA-TP二三极管是一款实用的TVS二极管，采用了DIODE技术，具有8.55VWM的工作电压和14.5VC的击穿电压。这种二极管具有优良的瞬态抑制特性，适用于各种电子设备的保护应用。 SMBJP6KE10CA-TP二三极管采用了DO214AA的封装方式，这种封装方式具有优良的散热性能和电性能稳定性，能够确保二极管在

Micro品牌SMBJP6KE12A-TP二三极管TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE12A-TP二三极管TVS二极管DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE12A-TP二三极管是一款具有高能量吸收能力的TVS二极管，它广泛应用于各种电子设备和系统中，以保护其免受电磁干扰和静电放电等危害。同时，它也可以用作过电压保护器件，以防止电路中的电压过高而损坏电路板或元器件。 SMBJP6KE12A-TP二三极管采用DIODE技术，这种技术通过在TVS二极管两端产生正负极性快速脉冲来抑制瞬态

Micro品牌SMA6J24AFL-TP二三极管TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO221AC的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMA6J24AFL-TP二三极管TVS二极管DIODE 24VWM 38.9VC DO221AC的技术和方案应用介绍 Micro品牌的SMA6J24AFL-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE技术，具有出色的电气性能和可靠性。该器件的额定电压为24VWM，浪涌电流承受能力达到38.9VC，能够有效抑制电源和信号线路的瞬态干扰，保护电子设备的稳定运行。 该二极管的DO221AC封装形式为超小型，具有极低的插入损耗，适用于各种电子设备的紧凑型设计。其超低的电容和电

Micro品牌SMBJ48A-TP二三极管TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ48A-TP二三极管TVS二极管DIODE 48VWM 77.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌的SMBJ48A-TP二三极管是一款优质的TVS二极管，适用于各种技术应用场景。它采用微型封装结构，具有出色的电气性能和可靠性，适用于各种恶劣环境下的保护。 SMBJ48A-TP二三极管采用先进的TVS技术，具有出色的浪涌电流承受能力，能够有效抑制瞬态电压的冲击，保护电子设备免受损坏。它还具有较快的响应时间，可以快速地保护电路，并具有较小的封装尺寸，适用

Micro品牌SMBJ58CA-TP二三极管TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ58CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 58VWM 93.6VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ58CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 58VWM技术，具有高冲击电压和低浪涌电流能力。该器件采用DO214AA封装，适用于各种电子设备和仪器中的保护应用。 SMBJ58CA-TP二三极管的应用范围非常广泛，包括通信设备、计算机、工业控制、医疗设备、汽车电子等。它能够有效地保护电子设备免受瞬态电压和电流的侵害，提高设备