Micro品牌SMBJP6KE24A-TP二三极管TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE24A-TP二三极管TVS二极管DIODE 20.5VWM 33.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE24A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE技术，具有20.5VWM的额定电压和33.2VC的冲击电流容量。该器件采用DO214AA封装形式，适用于各种小型化、轻量化的电子设备。 在技术应用方面，SMBJP6KE24A-TP二三极管可以应用于各种需要静电保护的场合，如计算机、通信设备、消费电子等产品中。它能够

Micro品牌SMBJ64A-TP二三极管TVS DIODE 64VWM 103VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ64A-TP二三极管TVS二极管DIODE 64VWM 103VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ64A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 64VWM技术，具有高吸收能容量和快速响应特性，适用于各种电子设备的过电压保护。此外，它还具有103VC的额定电压，适用于大多数常见的电源和信号线路。 DO214AA封装形式为Micro-B TO-220，具有小型化和轻量化的特点，适用于对空间要求较为严格的设备。这款二极管的另一个

Micro品牌SMBJP6KE51A-TP二三极管TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE51A-TP二三极管TVS二极管DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJP6KE51A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 43.6VWM技术，具有高冲击电压和低漏电流等特点。该产品还采用了DO214AA封装形式，方便了电子设备的安装和使用。 在应用方面，SMBJP6KE51A-TP二三极管可以应用于各种需要保护的电子设备中，如通信设备、计算机及其周边设备、汽车电子设备等。该产品可

Micro品牌SMBJ13CA-TP二三极管TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ13CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 13VWM 21.5VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ13CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 13VWM技术，具有高冲击电压，低噪音，高稳定性和高可靠性的特点。同时，它还采用了DO214AA封装技术，使得其具有更小的体积和更高的集成度。 该二三极管在技术应用上具有广泛的前景，适用于各种电子设备中。在汽车电子，工业控制，通信设备等领域中，SMBJ13CA-TP二三极管能

Micro品牌SMBJP6KE22A-TP二三极管TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE22A-TP二三极管TVS二极管DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE22A-TP二三极管是一款高品质的TVS二极管，采用DIODE技术，具有卓越的性能和可靠性。该器件采用DO214AA封装，适用于各种应用场景，尤其适合于SMB市场的中小型设备。 SMBJP6KE22A-TP二三极管的特性包括： * 18.8V的工作电压范围，适合多种电源保护需求； * 30.6V的峰值浪涌电流承受能力，能够抵御

Micro品牌SMBJP6KE12CA-TP二三极管TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE12CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE12CA-TP是一款高性能的二三极管TVS二极管，采用DIODE 10.2VWM技术，具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用DO214AA封装，适用于各种电子设备和系统。 SMBJP6KE12CA-TP二三极管TVS二极管的优点在于其高电压耐量和快速响应特性，使其在恶劣环境下仍能保持稳定的电气性能。此外，该器件还具有较小的封

Micro品牌SMBJ45A-TP二三极管TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ45A-TP二三极管TVS二极管DIODE 45VWM 72.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ45A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 45VWM工艺，具有72.7VC的箝位电压和快速瞬态抑制能力。该器件采用DO214AA封装，适用于各种小型化、轻量化的电子设备中。 SMBJ45A-TP二三极管的技术特点包括高箝位电压、低漏电流、高功率容量、快速响应等，使其在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能。该器件适用于各种电子

Micro品牌SMBJ51A-TP二三极管TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ51A-TP二三极管TVS二极管DIODE 51VWM 82.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ51A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 51VWM工艺，具有82.4VC的容量。该器件采用DO214AA封装，适用于各种技术方案。 SMBJ51A-TP二三极管在各种技术环境中具有出色的性能表现。它能够承受高达数万伏的瞬态电压，同时将电压限制在稳定的范围内，保护电子设备免受瞬态电压、浪涌和其他电气干扰的影响。这种器件在

Micro品牌SMBJ11CA-TP二三极管TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ11CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 11VWM 18.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ11CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 11VWM技术，具有高浪涌吸收能力，能有效保护电子设备免受瞬间过电压和过电流的侵害。此外，它还采用先进的18.2VC封装技术，具有更小的体积和更高的可靠性。 该二三极管采用DO214AA封装，适用于各种应用场景，如计算机、通信、消费电子、工业设备等。在各种恶劣天气条件下，如雷击、

Micro品牌SMBJ90CA-TP二三极管TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ90CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 90VWM 146VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ90CA-TP二三极管是一款实用的TVS二极管，它采用DIODE 90VWM技术，具有高能量和高功率的特性，适用于各种电子设备的保护。该器件的DO214AA封装方式使其具有出色的散热性能和易用性。 SMBJ90CA-TP二三极管的特性和优势包括：高能量和高功率的TVS保护能力，快速瞬态抑制能力，低电容和低电阻，以及出色的温度稳定性。这些特性使

Micro品牌SMBJ12A-TP二三极管TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ12A-TP二三极管TVS二极管DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJ12A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 12VWM技术，具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用微型封装DO214AA，适用于各种小型化、轻量化应用场景。 SMBJ12A-TP二三极管的特性包括： * 高浪涌吸收能力，能有效保护电子设备免受过电压和过电流的侵害； * 快速响应速度，瞬态抑制能力强，可有效减少过电压和过电

Micro品牌SMBJ150A-TP二三极管TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ150A-TP二三极管TVS二极管DIODE 150VWM 243VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ150A-TP是一款高性能的二三极管TVS二极管，采用DIODE 150VWM技术，具有出色的浪涌保护性能。该器件采用DO214AA封装，适用于各种小型化、轻量化的电子设备。 SMBJ150A-TP二三极管TVS二极管的优点在于其低电容、低电感特性，能够有效抑制瞬态电压，保护电子设备免受浪涌、过电压和过电流的侵害。此外，该器件还具有较快的响应时