芯片产品
热点资讯
- Micro品牌ESD12VD3-TP二三极管TVS DIODE 12VWM 33VC SOD323的技术和方案应用介绍
- 二三极管的制造工艺及其进步
- 二三极管的基本原理:探讨其工作原理、结构以及在电路中的应用
- Micro品牌SMA6J30CAFL-TP二三极管TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO221AC的技术和方
- Micro品牌5.0SMLJ85CA-TP二三极管TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AB的技术和方案
- Micro品牌SMBJ36CA-TP二三极管TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA的技术和方案应用
- Micro品牌SM5S30A-TP二三极管TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB的技术和方案应用介
- Micro品牌SMBJP6KE250AL-TP二三极管TVS DIODE 214VWM 344VC DO214AA的技术
- Micro品牌5KP30CA-TP二三极管TVS DIODE 30VWM 48.4VC R6的技术和方案应用介绍
- 封装技术:讨论不同的封装类型及其对二三极管性能的影响
你的位置:MIC半导体TVS二极管-整流器全系列-亿配芯城 > 芯片产品 > Micro品牌SMBJP6KE47CA-TP二三极管TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE47CA-TP二三极管TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO214AA的技术和方案应用介绍
- 发布日期:2024-07-25 10:21 点击次数:93
Micro品牌SMBJP6KE47CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 40.2VWM 64.8VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE47CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 40.2VWM技术,具有64.8VC的击穿电压和低电容特性。该器件采用DO214AA封装,适用于各种小型化、轻量化的电子设备中。
在技术应用方面,SMBJP6KE47CA-TP二三极管的击穿电压可有效抑制瞬态电压的干扰,保护电子设备的稳定运行。其低电容特性可提高信号传输的纯净度,减少信号失真。此外,该器件还具有快速响应特性,可在瞬间抑制瞬态电压的冲击。
在方案应用方面,SMBJP6KE47CA-TP二三极管适用于各种环境恶劣、电磁干扰严重的场合。例如,在通信设备、工业控制、汽车电子等领域中,该器件可有效保护电子设备免受电磁脉冲的干扰, 电子元器件采购网 提高设备的可靠性和稳定性。此外,该器件还可用于电路板的过电压保护,防止电路板上的电子元件受到过电压的损坏。
综上所述,Micro品牌SMBJP6KE47CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DO214AA封装技术,具有低电容、快速响应等优点。在技术应用方面,该器件可有效抑制瞬态电压的干扰,提高信号传输的纯净度;在方案应用方面,该器件适用于各种环境恶劣、电磁干扰严重的场合,可有效保护电子设备免受过电压的损坏。因此,建议在相关领域中广泛应用该器件。

相关资讯
- Micro品牌SMBJP6KE400AL-TP二三极管TVS DIODE 342VWM 548VC DO214AA的技术和方案应用介绍2025-04-03
- Micro品牌SMCJ1.5KE9.1CA-TP二三极管TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍2025-04-02
- Micro品牌SMCJ1.5KE8.2A-TP二三极管TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AB的技术和方案应用介绍2025-04-01
- Micro品牌SMCJ1.5KE22A-TP二三极管TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB的技术和方案应用介绍2025-03-31
- Micro品牌SMCJ1.5KE120A-TP二三极管TVS DIODE 102VWM 165VC DO214AB的技术和方案应用介绍2025-03-30
- Micro品牌SMCJ1.5KE10A-TP二三极管TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO214AB的技术和方案应用介绍2025-03-29