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Micro品牌SMBJP6KE82A-TP二三极管TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO214AA的技术和方案应用介绍
- 发布日期:2024-08-07 11:16 点击次数:164
Micro品牌SMBJP6KE82A-TP二三极管TVS二极管DIODE 70.1VWM 113VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE82A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE技术,具有70.1VWM的额定电压和113VC的浪涌电流容量。该器件采用DO214AA封装,适用于各种小型化、轻量化的电子设备。
SMBJP6KE82A-TP二三极管在技术上具有以下特点:
* 采用TVS技术,具有快速瞬态响应特性,能够有效抑制瞬态电压和浪涌电流的冲击,保护电子设备免受损坏。
* 采用DIODE技术,具有较低的导通电阻和较高的浪涌电流容量,同时具有较长的使用寿命和较低的成本。
* 采用DO214AA封装,具有小型化、轻量化的特点,适用于各种便携式、小型化的电子设备。
在方案应用方面,SMBJP6KE82A-TP二三极管适用于各种需要防雷击、防静电、防电磁干扰的场合。例如, 亿配芯城 在通信设备、计算机、工业控制、汽车电子等领域,该器件可以作为电源保护器件,抑制电源线上的瞬态电压和浪涌电流,提高系统的稳定性和可靠性。此外,该器件还可以作为信号线路的保护器件,保护电路免受电磁干扰的损害。
总之,Micro品牌SMBJP6KE82A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE技术具有较低的成本和较高的浪涌电流容量,适用于各种小型化、轻量化的电子设备。在方案应用方面,该器件可以作为电源和信号线路的保护器件,提高系统的稳定性和可靠性。
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