一、简介 Infineon英飞凌FF400R06KE3HOSA1模块是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块，其具有600V的额定电压，500A的额定电流，以及高达1250W的额定功率。这款模块广泛应用于各种高效率，高功率的电源和电机驱动系统中。 二、参数详解 1. 额定电压：600V，这是模块在正常工作条件下可承受的电压。 2. 额定电流：500A，这是模块在连续工作条件下可承受的电流。 3. 额定功率：1250W，这是模块在短时间内可以承受的最大功率。 4. 工作温度：模块的工作温
随着科技的不断进步，电子设备的功能越来越强大，对电源的稳定性和效率的要求也越来越高。在这种情况下，Infineon英飞凌的FF200R06KE3HOSA1模块IGBT MOD就是一个非常实用的选择。这款模块具有600V的电压承受能力，高达260A的电流容量，以及680W的功率输出，适用于各种需要高效稳定电源的场合。 一、参数详解 1. 电压承受能力：600V，这意味着该模块可以在电压为600V的情况下正常工作，为设备提供稳定的电流。 2. 电流容量：高达260A，意味着该模块可以承受高达260
Infineon英飞凌FF200R12KE4HOSA1模块IGBT MOD 1200V 240A 1100W：参数解析与方案应用 一、引言 Infineon英飞凌的FF200R12KE4HOSA1模块是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，其工作电压高达1200V，电流容量为240A，总功率达到1100W。这款模块在许多电子设备中具有广泛的应用，特别是在电力转换和控制系统中。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 二、参数解析 1. 工作电压：该模块的工作电压高达1200V，保证了在
随着科技的飞速发展，电子设备对功率半导体器件的需求越来越高。Infineon英飞凌的FZ400R12KE4HOSA1模块IGBT MOD，以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了业界的焦点。该模块是一款具有1200V、400A、2400W功率的IGBT模块，具有出色的热性能和可靠性，适用于各种工业和电源应用。 首先，我们来了解一下FZ400R12KE4HOSA1模块的基本参数。它采用先进的半导体技术，具有极低的导通电阻和较高的开关速度，从而实现了高效、稳定的功率转换。该模块的额定电压为1200V
英飞凌：Q4 达标，正感受到全球汽车需求疲软的冲击
2024-07-18据外媒报道，全球半导体公司英飞凌12 日公布了 2019 年度第 4 季(截至 2019 年 9 月 30 日)财报，并表示尽管该公司受到了宏观经济、不确定性因素以及全球汽车需求疲软的影响，但第四季度利润仍有所上升。 据财报显示，英飞凌Q4营收年增 1%(季增 2%)至 20.62 亿欧元;毛利率由39.8%下降到35.5%;而对公司至关重要的部门业绩利润率从19.5%下降到15.1%;净利润年增 14%(季减 28%)至 1.61 亿欧元(约合1.776亿美元)。 英飞凌CEO Reinha
中国电子元器件网：英飞凌推出智能安全芯片
2024-07-13英飞凌将推出智能卡安全芯片，可以在0.2秒内完成无接触支付。英飞凌今天宣布推出SLC3x，这是一款非接触式安全芯片，将ARM的32位安全内核SC300架构与基于闪存的安全控制器固态闪存相结合。该芯片采用40纳米(十亿分之一米)工艺生产，符合国际标准化组织(标准化组织)和国际支付标准(EMV)规范。它可以用于低成本的基于联系人的预付卡和客户卡、标准双界面支付卡和身份证、生物识别卡上的系统解决方案以及可穿戴设备。英飞凌他说:SLC3x是业界最先进的安全产品组合。使用SLC3x产品，即使阅读器的场强
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆，不仅通态电阻（RDS(on)）降低，还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛，包括马达驱动、SMPS（包括服务
麦克风和服务器在英飞凌的推动下熠熠生辉
2024-06-30翻译自——EEtimes硅传声器尽管营收下降了7%，但预计将在今年将实现50%的增长。英飞凌本周公布了季度业绩，称硅麦克风及其服务器业务是该季度的亮点，否则该季度营收将连续下降7%，至19.16亿欧元(21亿美元)。该公司还预计将在本季度末或下月初完成对Cypress的收购交易。英飞凌首席执行官ReinhardPloss表示:“市场对最新一代硅麦克风的需求正在动态增长，此外，服务器业务等个别领域也有所改善。不过，总体而言，我们预计在本财年下半年之前，需求不会全面复苏。但英飞凌的长期增长动力保持
英飞凌650 V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平
2024-06-30英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。 “随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级
英飞凌联手高通打造高质量3D ToF技术，实现出色的身份认证
2024-06-27英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）与高通公司展开合作，研发基于Qualcomm®骁龙™ 865移动平台的3D认证参考设计，进一步扩展英飞凌3D传感器技术在移动终端的应用范围。这个参考设计采用REAL3TM 3D飞行时间（ToF）传感器，支持智能手机制造商实现既经济高效又易于设计的标准化集成。4年来，英飞凌凭借其3D ToF传感器技术活跃在移动终端市场上。不仅如此，在2020年美国拉斯维加斯国际消费类电子产品展览会（CES）上，英飞凌携全球最小巧（4.4 mm