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2024-08
Micro品牌SA20CA-TP二三极管TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌SA20CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 20VWM 32.4VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的SA20CA-TP二三极管是一种常用的TVS二极管,它具有DIODE 20VWM 32.4VC DO15的技术和方案应用。这种二极管在电子设备中具有广泛的应用,特别是在电源电路中作为保护元件。 SA20CA-TP二三极管采用了先进的半导体技术,具有高效率、低漏电流、快速响应等优点。它能够有效地抑制电源电路中的瞬态电压和电流,保护电子设备免受浪涌电压和过电流的损
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2024-08
Micro品牌SA15CA-TP二三极管TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌SA15CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 15VWM 24.4VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SA15CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 15VWM和24.4VC的技术参数,适用于多种电子设备的保护方案。 首先,SA15CA-TP二三极管采用了先进的TVS技术,能够在瞬间承受高电压和大电流,有效地抑制电压波动,保护电子设备不受外部干扰的影响。其次,该二极管采用了DO15的封装形式,适用于各种恶劣环境下的应用。 在方案应用方
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2024-08
Micro品牌SMBJ18CA-TP二三极管TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ18CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 18VWM 29.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ18CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 18VWM技术,具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用DO214AA封装,适用于各种电子设备和仪器中,作为保护元件,防止电源线浪涌和其他电气噪声对电路的干扰。 该二三极管的性能特点包括:高浪涌容量、低吸收时间、低漏电流、高钳压能力等。这些特点使得SMBJ18CA-TP二三极管在各
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2024-08
Micro品牌SMBJ18A-TP二三极管TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ18A-TP二三极管TVS二极管DIODE 18VWM 29.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ18A-TP二三极管是一款实用的TVS二极管,采用DIODE 18VWM工艺,具有29.2VC的冲击电流和DO214AA的封装形式。 首先,SMBJ18A-TP二三极管TVS二极管在电路保护中具有重要的作用,可以有效地抑制电涌干扰,保护电路免受损坏。其次,该器件的DIODE工艺有助于降低导通电压,提高响应速度,从而更好地保护电路。 此外,18
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2024-08
Micro品牌SMBJ6.5CA-TP二三极管TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ6.5CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ6.5CA-TP是一款高性能的二三极管TVS二极管,适用于各种电子设备的保护应用。该型号的二极管具有6.5V的额定电压,其最大反向电压可达11.2V,具有出色的浪涌电流承受能力。 SMBJ6.5CA-TP二极管的DO214AA封装形式,使得其具有优良的散热性能和易用性。这种封装形式适用于各种小型化和轻量化的便携式设备,同时也方便了生产厂家进
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2024-08
Micro品牌SMBJP6KE120CA-TP二三极管TVS DIODE 102VWM 165VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE120CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 102VWM 165VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJP6KE120CA-TP二三极管是一款高品质的TVS二极管,采用DIODE 102VWM和165VC的技术参数,并遵循DO214AA的集成封装方式。这种微型电子器件具有卓越的电气性能和防护能力,广泛应用于各种电子设备中。 TVS二极管SMBJP6KE120CA-TP的核心优势在于其出色的瞬态抑制能力。在电气系统中的突发异常电压下
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2024-08
Micro品牌SMBJP6KE82A-TP二三极管TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE82A-TP二三极管TVS二极管DIODE 70.1VWM 113VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE82A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE技术,具有70.1VWM的额定电压和113VC的浪涌电流容量。该器件采用DO214AA封装,适用于各种小型化、轻量化的电子设备。 SMBJP6KE82A-TP二三极管在技术上具有以下特点: * 采用TVS技术,具有快速瞬态响应特性,能够有效抑制瞬态电压和浪涌电流的冲击
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2024-08
Micro品牌SMBJP6KE68CA-TP二三极管TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE68CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 58.1VWM 92VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE68CA-TP二三极管是一款高品质的TVS二极管,采用DIODE 58.1VWM技术,具有出色的电气性能和可靠性。它采用微型封装DO214AA,适用于各种小型化设备中。 Micro品牌SMBJP6KE68CA-TP二三极管的优点在于其高浪涌吸收能力,能够有效抑制电压波动,保护电路免受过电压和静电放电的损害。此外,它还具有快速瞬态
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2024-08
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Micro品牌SMBJP6KE39CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA技术方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJP6KE39CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 33.3VWM技术,具有高冲击电压和低浪涌电流能力,同时具有快速响应和低电容等特点。该器件采用DO214AA封装,适用于各种小型化、轻量化、低成本的应用场景。 该二三极管TVS二极管在电子设备中有着广泛的应用,主要起到保护电子元件免受瞬间电压、电流和电磁干扰
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2024-08
Micro品牌SMBJP6KE36A-TP二三极管TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE36A-TP二三极管TVS二极管DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE36A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 30.8VWM和49.9VC技术规格,具有优良的浪涌保护性能。其DO214AA封装形式使得其在各种小尺寸和轻量化应用中具有广泛的应用前景。 SMBJP6KE36A-TP二三极管主要应用于各种小型的电子设备中,如通讯设备、计算机外围设备、消费电子产品等。这些设备对于
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2024-08
Micro品牌SMBJP6KE20A-TP二三极管TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE20A-TP二三极管TVS二极管DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE20A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE技术,具有多种规格和参数可供选择。该二极管具有高浪涌电流能力、低电容、低电阻和快速响应时间等优点,适用于各种电子设备和系统中。 该二极管的工作电压范围为17.1V至27.7V,工作温度范围宽,可在-40℃至+85℃的温度范围内稳定工作。其DO214AA封装形式符合Q
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2024-08
Micro品牌SMBJ150CA-TP二三极管TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ150CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 150VWM 243VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ150CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 150VWM技术,具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用DO214AA封装,适用于各种电子设备和仪器中的保护电路。 SMBJ150CA-TP二三极管的主要特点包括快速瞬态抑制能力、低电容、低电感、高功率等。这些特性使得该器件在各种恶劣环境下都能够提供可靠的防护,如静电放电