Micro品牌SMBJP6KE15CA-TP二三极管TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE15CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE15CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE技术，具有12.8VWM的额定电压和21.2VC的额定功率。该器件采用DO214AA封装形式，适用于各种小型化、轻量化的电子设备。 TVS二极管SMBJP6KE15CA-TP具有出色的瞬态电压抑制能力，能够有效地保护电子设备免受过压、过温、静电等瞬态干扰的影响。

Micro品牌SMBJ24CA-TP二三极管TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ24CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ24CA-TP二三极管是一款优质的TVS二极管，它采用了先进的半导体技术制造而成。这种二极管在各种恶劣环境下都具有出色的保护性能，特别适用于中小型电子设备中的电源和信号线路的防护。 SMBJ24CA-TP二三极管采用了DIODE技术，这种技术能够有效地抑制浪涌电流，防止电压波动对设备造成损害。同时，它还具有38.9VC的额定电压，能够承受高

Micro品牌SMBJ15CA-TP二三极管TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ15CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ15CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 15VWM技术，具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用微型封装DO214AA，适用于各种小型化、轻量化应用场景。 该二三极管的优点包括： 1. 高浪涌吸收能力：具有出色的吸收浪涌电流的能力，能够有效保护电子设备免受过电压和过电流的损害。 2. 快速响应速度：TVS二极管在瞬间受到

Micro品牌SM3.3H-TP二三极管TVS DIODE 3.3VWM 12.5VC SOT23的技术和方案应用介绍

Micro品牌SM3.3H-TP二三极管TVS二极管DIODE 3.3VWM 12.5VC SOT23的技术和方案应用介绍 Micro品牌SM3.3H-TP是一款高性能的3.3V微型TVS二极管，采用SOT23封装，具有出色的电气性能和可靠性。该器件具有多种应用方案，适用于各种电子设备和系统中。 首先，SM3.3H-TP二三极管TVS二极管的电气特性使其成为各种电源保护应用的理想选择。当电源电压瞬间波动时，该器件可以迅速吸收多余的电流，防止电压波动对设备造成损害。此外，该器件还可以作为信号线路

Micro品牌SMBJP6KE30A-TP二三极管TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE30A-TP二三极管TVS二极管DIODE 25.6VWM 41.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJP6KE30A-TP二三极管是一款非常实用的电子元器件，它采用TVS二极管DIODE技术，具有出色的保护性能和低阻抗特性。该器件适用于各种电路保护应用，特别是在SMB系列的低成本产品中具有广泛应用。 该器件具有多种优点，首先它具有良好的瞬态电压抑制能力，可以有效保护电路免受过压和静电放电的攻击。其次，SMBJP6KE30A-TP

Micro品牌SMBJ30CA-TP二三极管TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ30CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ30CA-TP二三极管是一款优质的TVS二极管，采用DIODE 30VWM工艺，具有高吸收能特性，适用于各种电子设备的过电压防护。此外，它还具有48.4VC的额定电压，以及DO214AA的封装形式，使其在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能。 该二三极管的方案应用范围广泛，包括但不限于：通信设备、计算机及其周边设备、消费性电子产品、工业设备等。

Micro品牌SMBJ5.0A-TP二三极管TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ5.0A-TP二三极管TVS二极管DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJ5.0A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 5VWM技术，具有9.2VC的防护能力，适用于各种电子设备的保护应用。同时，该器件采用DO214AA封装形式，具有小巧轻便、易于安装的特点。 TVS二极管是一种瞬态抑制器，能够有效地抑制电涌、浪涌等瞬态干扰，保护电子设备不受损坏。Micro品牌SMBJ5.0A-TP二三极管采用

Micro品牌ESDSLC8V0D3B-TP二三极管TVS DIODE 8VWM 19.5VC SOD323的技术和方案应用介绍

Micro品牌ESDSLC8V0D3B-TP二三极管TVS二极管DIODE 8VWM 19.5VC SOD323的技术和方案应用介绍 Micro品牌的ESDSLC8V0D3B-TP二三极管是一款高品质的TVS二极管，具有出色的电气性能和可靠性。该型号适用于各种电子设备中，用于保护敏感组件免受瞬态电压和静电放电的侵害。 ESDSLC8V0D3B-TP二极管的优点在于其高吸收能容量和快速响应特性，可在极短时间内吸收大量的瞬态能量，并将其均匀地分配到散热器上，从而降低了对外部热敏元件的需求。这使得该

Micro品牌SMBJP6KE33CA-TP二三极管TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE33CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 28.2VWM 45.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下SMBJP6KE33CA-TP二三极管是一款功能强大的TVS二极管，具有DIODE的特性，适用于各种技术应用。其技术规格如下： 1. 电压范围：28.2VWM至45.7VC，可根据应用需求调整。 2. 尺寸：DO214AA标准，易于集成。 3. 响应时间：快速瞬态响应，能有效保护电子设备免受静电、雷击等瞬态浪涌的损害。 SMBJP6KE3

Micro品牌SMBJP6KE6.8A-TP二三极管TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE6.8A-TP二三极管TVS二极管DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE6.8A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DO214AA封装，适用于各种技术应用方案。该二极管具有高浪涌电流能力（SMBJP6KE6.8A）和低钳位电压（TP），可有效保护电子设备免受瞬态电压和静电放电的干扰。 技术特点： 1. 高浪涌电流能力：SMBJP6KE6.8A二极管的额定电流为6.8A，可承受高强度瞬态浪

Micro品牌ESD12VD3-TP二三极管TVS DIODE 12VWM 33VC SOD323的技术和方案应用介绍

Micro品牌ESD12VD3-TP二三极管TVS二极管DIODE 12VWM 33VC SOD323的技术和方案应用介绍 Micro品牌的ESD12VD3-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用SOD323封装，适用于各种电子设备中作为静电保护器件。该器件具有出色的性能和可靠性，可在恶劣环境下保持稳定的性能，适用于各种工业、消费电子产品和汽车电子设备中。 ESD12VD3-TP二三极管采用先进的制造技术和材料，具有高浪涌吸收能力、低反向漏电流、快速响应速度等特点。它能够有效地抑制瞬态电

Micro品牌SMA6J12CA-TP二三极管TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMA6J12CA-TP二三极管TVS二极管技术与应用介绍 Micro品牌推出了一款高性能的SMA6J12CA-TP二三极管TVS二极管，具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用DO214AC封装，适用于各种电子设备，包括通信、电源保护和汽车电子等领域。 SMA6J12CA-TP二三极管TVS二极管的额定电压为12V，最大峰值脉冲电流为19.9V，最大钳压能力为6.3V。它具有低电容、低电阻和快速响应等特性，适用于各种瞬态抑制和浪涌保护应用。此外，该器件还具有较小的封装尺寸，便于集