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2025-03
Micro品牌SMCJ20CA-TP二三极管TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ20CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMCJ20CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB的技术方案。该器件在电路中起着非常重要的保护作用,能够有效抑制电涌、瞬态干扰,确保电路稳定运行。 技术特点: 1. 采用DO214AB封装,具有体积小、响应速度快、易于安装等特点; 2. 20VWM的电压规格以及32.4VC的电流规格,
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2025-03
Micro品牌SMCJ17CA-TP二三极管TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ17CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 17VWM 27.6VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMCJ17CA-TP二三极管是一款性能优越的TVS二极管,采用DIODE 17VWM型号,具有27.6VC的箝位电压和快速的瞬态抑制能力。这种器件广泛应用于各种电子设备和系统中,对保护电路和设备免受浪涌、过压等危害具有重要作用。 在技术应用方面,SMCJ17CA-TP二三极管TVS二极管与DO214AB封装形式相匹配,能够满足空间紧凑、高可靠性的
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2025-03
Micro品牌SMCJ15A-TP二三极管TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ15A-TP二三极管TVS二极管技术方案应用介绍 Micro品牌推出了一款具有卓越性能的SMCJ15A-TP二三极管TVS二极管,适用于各种电子设备。这款二极管具有15VWM的额定电压和24.4VC的箝位电压,可确保在瞬间过压情况下提供可靠的防护。 该二极管采用DO214AB封装,具有低电容和低电阻特性,能够快速吸收瞬时电流,避免设备受到损坏。此外,它还具有较小的外形尺寸,可降低系统成本和功耗。 技术方案应用介绍: 在电子设备中,瞬态抑制二极管TVS二极管的应用越来越广泛
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2025-03
Micro品牌SMCJ14A-TP二三极管TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ14A-TP二三极管TVS二极管DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ14A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 14VWM和23.2VC技术,具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用微型封装DO214AB,适用于各种电子设备的紧凑安装。 该器件在各种恶劣环境下表现出色,如高温、低温、湿度、振动等。它具有快速瞬态二极管效应,能够有效地吸收和分散电压,保护电子设备免受电源电路中的瞬态电压和电流
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2025-03
Micro品牌SMCJ13CA-TP二三极管TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ13CA-TP二三极管TVS器件的应用介绍 Micro品牌的SMCJ13CA-TP二三极管是一款功能强大的TVS器件,采用DO214AB封装,具有多种技术参数。它适用于各种电子设备,如通讯设备、计算机、消费电子产品等,提供可靠的防护。 技术参数方面,该器件的工作电压为13V,最大耗散功率为21.5W,最大钳压为2.5V。其响应时间快,瞬态抑制能力强,可以有效地保护电子设备免受电涌、浪涌等瞬态干扰的影响。此外,它还具有极低的插入损耗,不影响电路的正常工作。 方案应用方面,该
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2025-03
Micro品牌SMCJ13A-TP二三极管TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ13A-TP二三极管TVS二极管DIODE 13VWM 21.5VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ13A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 13VWM技术,具有高浪涌吸收能力,能够有效保护电子设备免受过电压和过电流的侵害。此外,它还采用了DO214AB封装,具有低ESD冲击能力,便于在各种恶劣环境下使用。 该二三极管的方案应用广泛,适用于各种电子设备和系统。在汽车电子、通信设备、计算机硬件、工业控制、消费电子等领域
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2025-03
Micro品牌SMCJ11CA-TP二三极管TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ11CA-TP二三极管TVS器件的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ11CA-TP二三极管是一款高性能的TVS器件,采用DO214AB封装,具有多种技术特点和方案应用。 首先,SMCJ11CA-TP二三极管采用先进的半导体工艺制造,具有高击穿电压、低反向漏电流、快速响应等优点。同时,它还具有优异的瞬态电压抑制能力,能够有效吸收各种突发脉冲和高频干扰。 在技术方面,Micro品牌SMCJ11CA-TP二三极管采用了先进的TVS技术,能够承受高达18.2VC的电
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2025-03
Micro品牌SMCJ9.0CA-TP二三极管TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ9.0CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ9.0CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 9VWM技术,具有高浪涌电流能力,低钳压和快速瞬态抑制能力等特点。同时,它还采用了DO214AB封装技术,具有低成本、高可靠性和易于安装等优势。 该二三极管在各种应用场景中具有广泛的应用前景。首先,它适用于各种电子设备的电源保护,可以有效防止电源线路中的浪涌和瞬态电压对设
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2025-03
Micro品牌SMCJ9.0A-TP二三极管TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ9.0A-TP二三极管TVS二极管DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ9.0A-TP二三极管是一款采用TVS技术的新型电子元器件,具有高脉冲承受能力、低电容、快恢复等特点。该器件采用DO214AB封装形式,具有优良的电气性能和热稳定性。 技术特点: 1. 采用TVS技术,具有极低的反向漏电流和极高的钳位电压,能够有效地抑制电磁干扰和浪涌电流对电路的破坏。 2. 采用DIODE结构,具有高脉冲承受能力、低电容、
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2025-03
Micro品牌SMCJ8.0CA-TP二三极管TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ8.0CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMCJ8.0CA-TP二三极管是一款高品质的TVS二极管,采用DO214AB封装技术。它具有出色的性能和可靠性,适用于各种电子设备和系统。 首先,SMCJ8.0CA-TP二三极管采用了先进的TVS技术,具有极高的瞬态电压承受能力,能够有效抑制瞬态电压、浪涌等电磁干扰,保护电路免受损坏。此外,它还具有较快的响应时间和较低的插入损耗,能够更好地保护电
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2025-03
Micro品牌SMCJ8.0A-TP二三极管TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ8.0A-TP二三极管TVS二极管DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ8.0A-TP二三极管TVS二极管是一种重要的电子元器件,它具有多种技术特点和方案应用。首先,该器件采用8VWM的工作电压,能够满足不同电路的需求。其次,它具有13.6VC的额定功率,能够承受较大的瞬时过电流冲击。此外,该器件还采用了DO214AB的封装形式,具有较好的电气性能和散热性能。 在技术方案上,该器件可以应用于电源保护领域,特别是
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2025-03
Micro品牌SMCJ7.5CA-TP二三极管TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ7.5CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 7.5VWM 12.9VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMCJ7.5CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE技术,具有7.5VWM的额定电压和12.9VC的浪涌电流承受能力。这款二极管的DO214AB封装形式使其具有出色的热性能和电性能稳定性,适用于各种电子设备和系统中。 在应用方面,Micro品牌SMCJ7.5CA-TP二三极管可以应用于电源保护领域,如计算机、通信、消费电子和工