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2024-08
Micro品牌SMBJP6KE39CA-TP二三极管TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE39CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA技术方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJP6KE39CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 33.3VWM技术,具有高冲击电压和低浪涌电流能力,同时具有快速响应和低电容等特点。该器件采用DO214AA封装,适用于各种小型化、轻量化、低成本的应用场景。 该二三极管TVS二极管在电子设备中有着广泛的应用,主要起到保护电子元件免受瞬间电压、电流和电磁干扰
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04
2024-08
Micro品牌SMBJP6KE36A-TP二三极管TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE36A-TP二三极管TVS二极管DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE36A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 30.8VWM和49.9VC技术规格,具有优良的浪涌保护性能。其DO214AA封装形式使得其在各种小尺寸和轻量化应用中具有广泛的应用前景。 SMBJP6KE36A-TP二三极管主要应用于各种小型的电子设备中,如通讯设备、计算机外围设备、消费电子产品等。这些设备对于
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03
2024-08
Micro品牌SMBJP6KE20A-TP二三极管TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE20A-TP二三极管TVS二极管DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE20A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE技术,具有多种规格和参数可供选择。该二极管具有高浪涌电流能力、低电容、低电阻和快速响应时间等优点,适用于各种电子设备和系统中。 该二极管的工作电压范围为17.1V至27.7V,工作温度范围宽,可在-40℃至+85℃的温度范围内稳定工作。其DO214AA封装形式符合Q
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2024-08
Micro品牌SMBJ150CA-TP二三极管TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ150CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 150VWM 243VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ150CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 150VWM技术,具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用DO214AA封装,适用于各种电子设备和仪器中的保护电路。 SMBJ150CA-TP二三极管的主要特点包括快速瞬态抑制能力、低电容、低电感、高功率等。这些特性使得该器件在各种恶劣环境下都能够提供可靠的防护,如静电放电
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2024-08
Micro品牌SMBJ70CA-TP二三极管TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ70CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 70VWM 113VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ70CA-TP是一款高性能的二三极管TVS二极管,具有DIODE 70VWM 113VC DO214AA的技术和方案应用特性。该产品适用于各种电子设备中,作为电路保护器件,防止瞬间过电压和过电流对设备造成损害。 SMBJ70CA-TP二三极管采用微型封装DO214AA,具有高吸收能效率,适用于各种恶劣环境下的电路保护。其DIODE特性使其具有快速
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2024-07
Micro品牌SMBJ36CA-TP二三极管TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ36CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMBJ36CA-TP二三极管是一款性能优越的TVS二极管,具有DIODE 36VWM型号标识,其工作电压为36V,而最大钳压能力可达58.1VC。这款二极管的DO214AA封装形式,使其具备更强的耐压能力和更高的可靠性。 TVS二极管SMBJ36CA-TP在技术应用上具有广泛性,适用于各种电子设备和仪器中,如通信设备、计算机、电源供应器、路由器等
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2024-07
Micro品牌SMBJ30A-TP二三极管TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ30A-TP二三极管TVS二极管DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ30A-TP是一款高性能的二三极管TVS二极管DIODE,采用30VWM的电压规格,具有48.4VC的瞬态保护能力。这款器件采用DO214AA封装,具有出色的热性能和电性能特性,适用于各种电子设备的保护应用。 SMBJ30A-TP二三极管TVS二极管DIODE在许多领域具有广泛的应用,例如: * 电源保护:SMBJ30A-TP可以作为电源接口的保
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2024-07
Micro品牌SMBJ10CA-TP二三极管TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ10CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 10VWM 17VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ10CA-TP二三极管是一款高品质的TVS二极管,采用DIODE 10VWM技术,具有高浪涌电流能力、低钳压和快速瞬态抑制等特点。它适用于各种电子设备的过电压保护应用,特别适合于中小型规模的电路板和系统。 在技术方案应用上,SMBJ10CA-TP二三极管可应用于电源电路保护,如服务器、PC机等设备的电源输入端,可以有效防止电压波动和浪涌电流对电源电
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2024-07
Micro品牌SMBJ5.0CA-TP二三极管TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ5.0CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ5.0CA-TP是一款具有极高应用价值的TVS二极管,其采用了微型封装结构,适用于各种小尺寸的电子设备中。同时,它还具备出色的电气性能和可靠性,可以有效地保护电子设备的内部电路免受静电放电、电磁干扰等不利因素的影响。 SMBJ5.0CA-TP二三极管采用了最新的技术方案,使其在电压抑制方面表现卓越。它不仅能够有效地吸收外部的浪涌电压,还能在瞬间将
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2024-07
Micro品牌SMBJ14CA-TP二三极管TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ14CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 14VWM 23.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ14CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 14VWM技术,具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用微型封装DO214AA,适用于各种小型化、轻量化、高效化的应用场景。 TVS二极管SMBJ14CA-TP在电路保护中起着至关重要的作用,能够有效地抑制电涌干扰、保护电路免受瞬态电压的侵害。其出色的电气性能和可靠性使其成为各种电
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2024-07
Micro品牌SMBJP6KE150CA-TP二三极管TVS DIODE 128VWM 207VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE150CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 128VWM 207VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJP6KE150CA-TP二三极管是一款功能强大的TVS二极管,采用了微型封装结构,具有高浪涌吸收能力,适用于各种电子设备中。 该二极管采用先进的技术制造,具有极低的接触电阻和较高的击穿电压,能够有效抑制浪涌电压对电路的干扰。此外,SMBJP6KE150CA-TP二极管还具有较快的响应时间,可以迅速吸收浪涌电流,避免对电路造成损害
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2024-07
Micro品牌SMBJP6KE47CA-TP二三极管TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE47CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 40.2VWM 64.8VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE47CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE 40.2VWM技术,具有64.8VC的击穿电压和低电容特性。该器件采用DO214AA封装,适用于各种小型化、轻量化的电子设备中。 在技术应用方面,SMBJP6KE47CA-TP二三极管的击穿电压可有效抑制瞬态电压的干扰,保护电子设备的稳定运行。其低电容特性可提