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2024-10
Micro品牌1.5KE350A-TP二三极管TVS DIODE 300VWM 482VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE350A-TP二三极管TVS二极管的技术和应用介绍 Micro品牌的1.5KE350A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DO201AE封装，具有出色的电气性能和可靠性。该器件的主要特点是具有快速瞬态抑制特性，能够有效吸收各种类型的浪涌电流，保护电子设备免受电涌的危害。 该器件的技术参数包括：工作电压范围为5V至300V，最大钳压为350V，最大脉冲功率为200W，最大反向漏电流为1mA。这些参数决定了该器件在各种应用中的性能表现，如保护敏感电子设备、抑制电源
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2024-10
Micro品牌1.5KE250CA-TP二三极管TVS DIODE 214VWM 344VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE250CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 214VWM 344VC DO201AE的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE250CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有DIODE 214VWM型号规格。它适用于各种电子设备和系统中，作为电路保护器件来吸收瞬态电压和浪涌电流。该二极管具有快速响应和低电容特性，可有效保护电子设备免受电气瞬变干扰的影响。 该二三极管采用DO201AE封装形式，便于安装和焊接。它适用于各种应用领域，如通信、计算机、工业控
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2024-10
Micro品牌SMCJ1.5KE12A-TP二三极管TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ1.5KE12A-TP二三极管TVS二极管技术与应用介绍 Micro品牌推出的SMCJ1.5KE12A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DO214AB封装，具有多种技术特点和应用方案。 首先，该二极管采用微型封装，尺寸小，易于集成，适用于各种便携式设备。其次，它具有高浪涌吸收能力，可有效保护电子设备免受瞬态电压的冲击，提高设备的安全性和可靠性。此外，该二极管的响应时间快，可有效抑制瞬态电压的干扰，降低电磁干扰对设备的影响。 在实际应用中，该二极管可以用于各种电
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2024-10
Micro品牌SMCJ24CA-TP二三极管TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ24CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 24VWM 38.9VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌下的SMCJ24CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 24VWM技术，具有38.9VC的箝位电压和快速瞬态抑制能力。该器件采用DO214AB封装，具有优良的热性能和电性能特性。 该器件在各种应用中具有广泛的应用前景。例如，在电源电路中，它可以作为输入电源保护器件，有效地抑制外来电涌和瞬态干扰的影响，保证电源电路的稳定运行。此外，
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2024-10
Micro品牌P6KE16A-TP二三极管TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌P6KE16A-TP二三极管TVS二极管DIODE 13.6VWM 22.5VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE16A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 13.6VWM技术，具有高能量吸收能力，快速响应速度和出色的钳位电压控制能力。它适用于各种电子设备和系统中，作为电路保护器件，防止瞬态电压、浪涌和静电等干扰对电路的损害。 该二极管的DO15封装形式，使其具有出色的机械和电气性能，适用于各种环境和应用条件。其高稳定性和可靠性使其在各种
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2024-10
Micro品牌P6KE51CA-TP二三极管TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO15的技术和方案应用介绍
Micro品牌P6KE51CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 43.6VWM 70.1VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌P6KE51CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DO15的封装技术，具有多种应用方案。该型号的二极管具有43.6V的额定电压和70.1V的箝位电压，适用于各种电子设备的保护应用。 首先，Micro品牌P6KE51CA-TP二三极管在通信领域具有广泛的应用。由于其高钳位电压和高浪涌电流能力，它可以有效地保护通信设备的电路免受瞬态电压和电流的干
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2024-10
Micro品牌ESDN5V0D3B-TP二三极管TVS DIODE 5VWM 13.5VC SOD323的技术和方案应用介绍
Micro品牌ESDN5V0D3B-TP二三极管TVS二极管DIODE 5VWM 13.5VC SOD323的技术和方案应用介绍 Micro品牌的ESDN5V0D3B-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用SOD323封装，适用于各种电子设备中作为保护器件。该型号具有多种技术参数，如工作电压、最大持续功率、最大脉冲功率等，可根据实际应用需求选择合适的规格。 ESDN5V0D3B-TP二三极管的技术特点包括高吸收能速率、低钳位电压、低漏电流等，使其在瞬态电压波动情况下能够快速吸收能量，保护
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2024-10
Micro品牌ESD1524D3B-TP二三极管TVS DIODE 15VWM 35VC SOD323的技术和方案应用介绍
Micro品牌ESD1524D3B-TP二三极管TVS二极管的应用介绍 Micro品牌的ESD1524D3B-TP二三极管是一款优秀的瞬态二极管，具有出色的静电保护性能。它采用SOD323封装，适用于各种电子设备，包括但不限于计算机、通信、消费电子和工业应用。 ESD1524D3B-TP的技术特点包括高吸收能、低电容、低漏电流和快恢复等特性。它能够在短时间内吸收大量的静电能量，并将其转化为热能消散，从而保护电子设备免受静电和雷击等瞬态干扰的影响。 在方案应用方面，ESD1524D3B-TP适用
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2024-10
Micro品牌SMF40A-TP二三极管TVS DIODE 40VWM 64.5VC SOD123FL的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMF40A-TP二三极管TVS二极管的技术和应用介绍 Micro品牌的SMF40A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有40V的额定电压和SOD123FL的封装形式。这款二极管在技术上采用了先进的制造工艺，具有高吸收能容量、低反向漏电流、快速响应等特性，使其在各种恶劣环境下都能发挥出色的保护效果。 SMF40A-TP二极管的应用范围非常广泛，它适用于各种电子设备的电源电路、通讯设备、计算机硬件、消费电子产品等。作为瞬态抑制器，它可以有效地抑制电磁干扰、静电放电等瞬态干扰
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2024-10
Micro品牌ESDLC5V0AE2-TP二三极管TVS DIODE 5VWM 15VC 0201-A的技术和方案应用介绍
Micro品牌ESDLC5V0AE2-TP二三极管TVS二极管技术应用介绍 Micro品牌ESDLC5V0AE2-TP二三极管是一款高速瞬态电压抑制器，具有出色的性能和广泛的应用领域。该器件采用ESDLC技术制造，具有极低的电容性，可以有效地抑制高达5V的瞬态电压。此外，该器件还具有高击穿电压和低漏电流的特点，使其在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能。 在技术方案中，ESDLC5V0AE2-TP二三极管可以应用于各种电子设备中，如计算机、通信、工业控制等。由于其快速响应和低电容性，它可以有效地抑
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2024-10
Micro品牌AK10-190C-BP二三极管TVS DIODE 190VWM 290VC AK的技术和方案应用介绍
Micro品牌AK10-190C-BP二三极管TVS二极管的技术和应用 Micro品牌推出了一款优质的二三极管AK10-190C-BP二三极管，采用TVS技术，具有出色的电气性能和应用方案。这款二三极管采用了高品质的材料，经过精密的制造工艺，确保了其稳定性和可靠性。 AK10-190C-BP二三极管的电气性能出色，具有快速瞬态响应特性，能够有效地吸收和抑制瞬间脉冲电流，保护电路免受静电和电磁干扰的影响。此外，它还具有极低的插入损耗和高击穿电压，适用于各种电子设备的保护应用。 Micro品牌的A
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2024-10
Micro品牌5KP250CA-TP二三极管TVS DIODE 250VWM 425VC R6的技术和方案应用介绍
Micro品牌5KP250CA-TP二三极管TVS二极管技术应用介绍 Micro品牌5KP250CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 250VWM工艺制造，具有高吸收能容量和快速响应特性。该器件在各种恶劣环境条件下均表现出卓越的性能，适用于各种电子设备的过电压保护。 该二三极管的电气特性为：425VC最大钳压，R6最大额定值。这意味着该器件在电压超过425V时，能够迅速导通，将电压限制在安全范围内，从而保护电子设备免受过电压的损害。 该器件的技术方案应用广泛，可用于各种