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2025-05
Micro品牌SMCJ1.5KE62AQ-TP二三极管1500W,TVS, SMC的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ1.5KE62AQ-TP二三极管1500W及其TVS、SMC技术的应用介绍 Micro品牌推出了一款高性能的SMCJ1.5KE62AQ-TP二三极管,其额定功率达到了惊人的1500W,适用于各种高功率、高电压的电子设备。这款二极管的出色表现,离不开其采用的TVS技术。 TVS是一种瞬态抑制器,能够瞬时吸收大量的反向电流,从而有效地保护电子设备免受浪涌、过压等瞬态干扰的影响。Micro品牌SMCJ1.5KE62AQ-TP二三极管采用TVS技术,能够在极短的时间内将浪涌电流导
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2025-05
Micro品牌SMCJ1.5KE18AQ-TP二三极管1500W,TVS, SMC的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMCJ1.5KE18AQ-TP二三极管1500W及其TVS、SMC技术的应用介绍 Micro品牌推出了一款高性能的SMCJ1.5KE18AQ-TP二三极管,其额定功率达到了惊人的1500W,具有出色的浪涌保护性能。这款二极管的应用领域非常广泛,包括通信、电力、军事、工业设备和消费类电子产品等。 TVS(瞬态抑制二极管)技术是针对电气线路中的异常电压干扰进行快速抑制的关键元件。它具有响应速度快、箝位效果显著、耐冲击电压和浪涌电流等特点,能够有效保护电子设备免受各种干扰的影响。Mi
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2025-05
Micro品牌1.5KE100CA-TP二三极管TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE100CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 85.5VWM 137VC DO201AE的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE100CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE技术,具有85.5VWM的额定电压和137VC的箝位电压。这款二极管的DO201AE封装形式使其具有出色的热性能和机械可靠性。 在技术应用方面,这款二极管适用于各种电子设备和系统,特别是在需要保护敏感电路免受电磁干扰和浪涌电流影响的应用中。它能够有效地吸收瞬态浪涌电流,
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2025-04
Micro品牌1.5KE47A-TP二三极管TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE47A-TP二三极管TVS二极管DIODE 40.2VWM 64.8VC DO201AE的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE47A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,具有DIODE的特性,适用于各种电子设备的保护应用。该器件的额定电压为40.2VWM,峰值脉冲电流达到64.8VC,具有快速瞬态抑制能力。其DO201AE封装形式使得该器件在各种环境条件下都具有出色的可靠性和可操作性。 该器件的技术特点包括高吸收能容量、钳位电压可调、瞬态抑制能力强、响应速
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2025-04
Micro品牌1.5KE7.5A-TP二三极管TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE7.5A-TP二三极管TVS二极管DIODE 6.4VWM 11.3VC DO201AE的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE7.5A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DO201AE封装,具有多种技术参数和应用方案。 首先,该二极管具有6.4V的电压规格,适用于各种电子设备的保护应用。其7.5A的额定电流可满足大多数电路的保护需求。此外,它还具有低电容、高吸收能力的特点,可以有效地防止静电、电磁干扰等有害电压对电路的破坏。 其次,该二极管的浪涌保护
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2025-04
Micro品牌1.5KE82A-TP二三极管TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE82A-TP二三极管TVS二极管DIODE 70.1VWM 113VC DO201AE的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE82A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,具有DIODE技术,适用于各种电子设备的保护。该器件具有70.1VWM的额定电压和113VC的箝位电压,DO201AE的封装形式使其具有优良的电气性能和散热性能。 首先,TVS二极管在电路中起到一个快速瞬态电压抑制器的作用,能够有效地保护电子设备免受电涌、浪涌等瞬态电压的干扰。Micro品牌
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2025-04
Micro品牌1.5KE110A-TP二三极管TVS DIODE 94VWM 152VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE110A-TP二三极管TVS二极管技术与应用方案介绍 Micro品牌推出了一款高品质的二三极管——1.5KE110A-TP,其采用TVS二极管技术,具有高吸收功率、低反向漏电流、快速响应等特点。这款二三极管可用于各种电子设备中,作为保护器件,防止瞬间电压跌落、干扰等不良情况。 在技术方面,1.5KE110A-TP二三极管采用94VWM的电压规格,使其适用于更高的电压应用场景。同时,其DO201AE的封装形式,使其具有更好的可靠性和散热性能。此外,该二极管的反向漏电流和吸
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2025-04
Micro品牌1.5KE91A-TP二三极管TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE91A-TP二三极管TVS二极管的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE91A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,具有多种技术参数和应用方案。首先,该器件的额定电压为77.8V,最大箝位电压为1.5kV,钳位电压变化率为5mV/mA,具有高吸收功率和低钳位电压噪声的特点。 该器件采用DO201AE封装形式,具有较高的热稳定性,可以在高温环境下稳定工作。此外,该器件还具有低电容和低电阻,可以有效地抑制电磁干扰和静电放电等干扰信号。 在方案应用方面,该器件可以
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2025-04
亿配芯城接入DEEPSEEK AI 大模型,让芯片采购更灵活
4月22日,在芯片技术迭代加速与 AI 深度渗透的双重驱动下,亿配芯城正式宣布接入 DeepSeek 大模型,推出智能芯片顾问服务。通过融合行业级语义理解与垂直领域知识库,亿配芯城将传统芯片采购中的参数查询、特性解析、手册解读与场景适配四大环节进行智能化升级,打造覆盖 "需求输入 - 方案输出 - 技术输出" 的端到端 AI 解决方案。 一、关键参数:毫秒级精准响应,突破数据壁垒 面对全球超 3000 万种芯片型号 的复杂参数体系,亿配芯城 AI 助手依托 DeepSeek 的千亿级参数模型,
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2025-04
Micro品牌1.5KE43CA-TP二三极管TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE43CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE43CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,具有DIODE的特性,适用于各种电子设备的保护应用。该器件的额定电压为36.8VWM,峰值脉冲电流为59.3VC,封装形式为DO201AE。 TVS二极管是一种具有极高瞬态电压抑制能力的半导体器件,常用于保护电子设备免受电压冲击,确保其稳定运行。Micro品牌的这款二极管具有出色的电气
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2025-04
Micro品牌1.5KE43A-TP二三极管TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE43A-TP二三极管TVS二极管的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE43A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DO201AE封装,具有多种技术特点和应用方案。 首先,该二极管采用1.5KE43A型号,具有高吸收能容量和快速响应特性,能够有效保护电路免受电涌、浪涌等瞬态电压的侵害。其技术参数包括36.8V的额定电压和59.3V的箝位电压,以及较小的钳压比,有助于提高保护效果。 其次,该二极管的封装形式为DO201AE,具有小型化和薄型化的特点,适用于
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2025-04
Micro品牌1.5KE39A-TP二三极管TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO201AE的技术和方案应用介绍
Micro品牌1.5KE39A-TP二三极管TVS二极管的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE39A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,具有多种技术特点和方案应用。 首先,该器件采用先进的半导体技术,具有高吸收能容量和快速响应速度,能够有效保护电子设备免受电压波动和电磁干扰的影响。其次,该器件采用微型封装结构,具有较低的箝位电压和较低的热阻,可以快速地将浪涌电流导引回系统地,从而降低热损耗。此外,该器件还具有低电容和低电阻的特点,可以更好地保护电子设备的敏感元件。 在方案应用方