Micro品牌SMBJ150A-TP二三极管TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ150A-TP二三极管TVS二极管DIODE 150VWM 243VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ150A-TP是一款高性能的二三极管TVS二极管，采用DIODE 150VWM技术，具有出色的浪涌保护性能。该器件采用DO214AA封装，适用于各种小型化、轻量化的电子设备。 SMBJ150A-TP二三极管TVS二极管的优点在于其低电容、低电感特性，能够有效抑制瞬态电压，保护电子设备免受浪涌、过电压和过电流的侵害。此外，该器件还具有较快的响应时

Micro品牌SMBJP6KE75A-TP二三极管TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE75A-TP二三极管TVS二极管DIODE 64.1VWM 103VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJP6KE75A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 64.1VWM技术，具有出色的电气性能和可靠性。它采用微型封装DO214AA，具有较小的体积和较高的性价比，适用于各种小尺寸和轻量化的应用场景。 该二三极管TVS二极管SMBJP6KE75A-TP在技术上采用了先进的半导体工艺，具有快速响应和低漏电流的特点。它

Micro品牌SMBJ9.0CA-TP二三极管TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ9.0CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ9.0CA-TP是一款高性能的二三极管TVS二极管，采用DIODE技术，具有9VWM的工作电压和15.4VC的额定电流规格。这款二极管的DO214AA封装形式使其适用于各种电子设备的紧凑空间布局。 SMBJ9.0CA-TP二极管的性能特点包括高浪涌承受能力、低电容性阻抗、低插入损耗和高反向漏电流等。这些特性使其在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能

Micro品牌SMBJ8.0A-TP二三极管TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ8.0A-TP二三极管TVS二极管DIODE 8VWM 13.6VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ8.0A-TP是一款高性能的二三极管TVS二极管，具有DIODE 8VWM 13.6VC DO214AA的技术和方案应用特性。该二极管在电子设备中广泛应用，尤其在微小型的系统设计中，其优势明显。 SMBJ8.0A-TP二极管的材料采用先进的半导体技术制造，具有极低的电容和高响应速度，可以有效地抑制电源噪声，保护电子设备免受电源电路的干扰。其工作电

Micro品牌SMBJ24A-TP二三极管TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ24A-TP二三极管TVS二极管的应用介绍 Micro品牌的SMBJ24A-TP二三极管是一款高能量、大功率的TVS二极管，适用于各种电子设备的保护应用。它具有出色的瞬态电压抑制能力，可有效保护电子设备免受电源和信号线路中的瞬态电压和电流的干扰。 技术特点： * 快速响应：SMBJ24A-TP的响应时间快，可有效抑制瞬态电压和电流的冲击。 * 高效能：该器件具有高功率输出能力，适用于各种大功率应用场景。 * 宽工作电压范围：该器件可在24V的电压范围内正常工作，为各种设备

Micro品牌SMBJP6KE43CA-TP二三极管TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE43CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 36.8VWM 59.3VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE43CA-TP二三极管是一款高品质的TVS二极管，采用DIODE 36.8VWM技术，具有高冲击电压和低电容特性。此外，它还采用59.3VC技术，具有出色的浪涌保护性能。该二极管的DO214AA封装形式，使其适用于各种微小和紧凑的电子设备中。 在电子设备中，TVS二极管起着至关重要的保护作用，能够有效地吸收瞬态电压和浪涌电流

Micro品牌SMBJP6KE9.1A-TP二三极管TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE9.1A-TP二三极管TVS二极管DIODE7.78VWM13.4VCDO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJP6KE9.1A-TP二三极管是一款高品质的TVS二极管，采用DO214AA封装技术。它具有出色的性能和可靠性，适用于各种电子设备的保护应用。 SMBJP6KE9.1A-TP二三极管采用先进的半导体技术制造，具有高浪涌吸收能力，能有效抑制瞬态电压和电流，保护电子设备免受雷击、静电放电等电磁干扰的损害。其低电容和低电感特性使其适用于各

Micro品牌SMBJ170CA-TP二三极管TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ170CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 170VWM 275VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ170CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 170VWM技术，具有出色的电气性能和可靠性。该器件采用DO214AA封装，适用于各种电子设备的保护应用。 SMBJ170CA-TP二三极管的应用范围广泛，包括通讯设备、计算机及其周边设备、消费电子设备、工业控制设备等。它能够有效地抑制电磁干扰、静电放电等不利因素，保护电路免

Micro品牌SMBJ9.0A-TP二三极管TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ9.0A-TP二三极管TVS二极管DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ9.0A-TP是一款高性能的二三极管TVS二极管，采用DIODE技术，具有9VWM的工作电压和15.4VC的额定功率。该器件采用DO214AA封装形式，适用于各种小型化、轻量化的电子设备中。 SMBJ9.0A-TP二三极管TVS二极管的性能特点包括高瞬态电压抑制能力、低钳位电压、低插入损耗、高开关速度等。这些特点使其在各种恶劣环境下都能表现出色，

Micro品牌SMBJP6KE51CA-TP二三极管TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE51CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE51CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE技术，具有43.6VWM和70.1VC的参数。这款二极管的DO214AA封装形式使其具有优良的电气性能和可靠性。 TVS二极管SMBJP6KE51CA-TP在许多应用中具有广泛的应用价值。它广泛应用于各种电子设备和系统中，以保护其免受电磁干扰、静电放电等外部干扰

Micro品牌P6KE110A-TP二三极管TVS DIODE 94VWM 152VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE110A-TP二三极管TVS二极管DIODE 94VWM 152VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌P6KE110A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 94VWM技术，具有高浪涌电流能力，快速响应速度和低钳压等特点。此外，它还采用了DO15的外形封装，具有体积小、重量轻、易于安装等优势。 该二三极管在各种应用场景中具有广泛的应用前景。首先，它适用于各种电子设备的电源保护，可以有效抑制电源线路上产生的浪涌电流，避免设备受到损坏。其次，它还

Micro品牌P6KE160CA-TP二三极管TVS DIODE 136VWM 219VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE160CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 136VWM 219VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE160CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 136VWM技术，具有出色的浪涌保护性能。该器件的尺寸为219VC，适用于各种小型化封装设计的应用场景。此外，它还采用了DO15的包装方式，方便用户在各种环境下使用。 TVS二极管在电子设备中扮演着重要的角色，它可以有效地抑制瞬态电压和电流，保护电子设备免受浪涌和其他突发事件的损