亿配芯城接入DEEPSEEK AI 大模型,让芯片采购更灵活

4月22日，在芯片技术迭代加速与 AI 深度渗透的双重驱动下，亿配芯城正式宣布接入 DeepSeek 大模型，推出智能芯片顾问服务。通过融合行业级语义理解与垂直领域知识库，亿配芯城将传统芯片采购中的参数查询、特性解析、手册解读与场景适配四大环节进行智能化升级，打造覆盖 "需求输入 - 方案输出 - 技术输出" 的端到端 AI 解决方案。 一、关键参数：毫秒级精准响应，突破数据壁垒 面对全球超 3000 万种芯片型号 的复杂参数体系，亿配芯城 AI 助手依托 DeepSeek 的千亿级参数模型，

Micro品牌1.5KE43CA-TP二三极管TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE的技术和方案应用介绍

Micro品牌1.5KE43CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE43CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有DIODE的特性，适用于各种电子设备的保护应用。该器件的额定电压为36.8VWM，峰值脉冲电流为59.3VC，封装形式为DO201AE。 TVS二极管是一种具有极高瞬态电压抑制能力的半导体器件，常用于保护电子设备免受电压冲击，确保其稳定运行。Micro品牌的这款二极管具有出色的电气

Micro品牌1.5KE43A-TP二三极管TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE的技术和方案应用介绍

Micro品牌1.5KE43A-TP二三极管TVS二极管的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE43A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DO201AE封装，具有多种技术特点和应用方案。 首先，该二极管采用1.5KE43A型号，具有高吸收能容量和快速响应特性，能够有效保护电路免受电涌、浪涌等瞬态电压的侵害。其技术参数包括36.8V的额定电压和59.3V的箝位电压，以及较小的钳压比，有助于提高保护效果。 其次，该二极管的封装形式为DO201AE，具有小型化和薄型化的特点，适用于

Micro品牌1.5KE39A-TP二三极管TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO201AE的技术和方案应用介绍

Micro品牌1.5KE39A-TP二三极管TVS二极管的技术和方案应用介绍 Micro品牌的1.5KE39A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有多种技术特点和方案应用。 首先，该器件采用先进的半导体技术，具有高吸收能容量和快速响应速度，能够有效保护电子设备免受电压波动和电磁干扰的影响。其次，该器件采用微型封装结构，具有较低的箝位电压和较低的热阻，可以快速地将浪涌电流导引回系统地，从而降低热损耗。此外，该器件还具有低电容和低电阻的特点，可以更好地保护电子设备的敏感元件。 在方案应用方

Micro品牌SMA6J18AQ-TP二三极管600W,TVS, SMA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMA6J18AQ-TP二三极管600W在技术应用中的重要性和TVS保护方案 随着电子设备的日益普及，二三极管在各种设备中扮演着重要的角色。Micro品牌的SMA6J18AQ-TP二三极管600W作为一种重要的电子元器件，被广泛应用于各种高功率设备中，为设备的稳定运行提供保障。 SMA6J18AQ-TP二三极管600W采用SMA封装技术，具有高效率、低损耗的特点。该器件采用先进的半导体材料制造，具有极低的热阻和良好的热稳定性，能够承受高功率而不损坏。此外，该器件还具有较高的频率响

Micro品牌SMA6J24AQ-TP二三极管600W,TVS, SMA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMA6J24AQ-TP二三极管600W在TVS技术和方案中的应用介绍 Micro品牌的SMA6J24AQ-TP二三极管600W是一款高性能的瞬态电压抑制器，广泛应用于各种电子设备中，以保护其免受瞬间电压波动的干扰。这款二极管以其出色的性能和可靠性，成为许多技术方案的核心组件。 TVS技术是一种瞬态电压抑制技术，能够有效地吸收瞬间电压波动，避免设备受到损害。Micro品牌的SMA6J24AQ-TP二极管凭借其出色的TVS性能，能够在极短的时间内吸收大量的瞬时功率，从而保护电子设备

Micro品牌1.5KE27A-TP二三极管TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO201AE的技术和方案应用介绍

Micro品牌1.5KE27A-TP二三极管TVS二极管的应用介绍 Micro品牌的1.5KE27A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有多种技术特点和方案应用。 首先，该二极管采用了先进的瞬态电压抑制技术，能够在瞬间电压冲击下迅速吸收浪涌电流，保护电子设备不受损坏。其次，该二极管的额定电压为23.1V，最大钳压为37.5V，具有较高的电压抑制能力。此外，该二极管采用了DO201AE封装形式，便于安装和拆卸。 在方案应用方面，该二极管可以应用于各种电子设备的电源电路中，如计算机、通信设

Micro品牌SMCJ130CA-TP二三极管TVS DIODE 130VWM 209VC DO214AB的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMCJ130CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 130VWM 209VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ130CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 130VWM技术，具有出色的浪涌保护性能。此外，它还采用了209VC的连接器，方便了电路板的安装和拆卸，同时具有良好的热稳定性。 该器件采用了Micro品牌特有的DO214AB封装，具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合于各种应用场景。其高能量吸收能力、快速响应速度和极低

Micro品牌SMCJ110A-TP二三极管TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMCJ110A-TP二三极管TVS二极管DIODE 110VWM 177VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ110A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 110VWM技术，具有出色的浪涌保护性能。此外，它还采用177VC工艺，具有高可靠性和耐久性。该器件采用DO214AB封装，便于电路板的安装和应用。 该器件适用于各种电子设备的电源和信号线路的过压保护，可以有效抑制瞬态电压和电流，保护电路免受损坏。在工业、计算机、电信和许多

Micro品牌SAC12-TP二三极管TVS DIODE 12VWM 19VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌SAC12-TP二三极管TVS二极管DIODE 12VWM 19VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的SAC12-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有DIODE 12VWM 19VC DO15的技术和方案应用特点。它适用于各种电子设备和系统中，用于保护电路免受过电压和静电放电的干扰。 SAC12-TP二三极管具有快速响应能力，可以在瞬间吸收大量的瞬时功率，将电压钳位在一个安全范围内。这使得它成为各种电子设备的关键保护元件，特别是在高电压和高频率的环境中。 此

Micro品牌SMCJ120CA-TP二三极管TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AB的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMCJ120CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 120VWM 193VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ120CA-TP二三极管是一款具有高浪涌吸收能力，低ESR，低钳压误差，高钳压电压稳定性的TVS二极管。它是一种非线性半导体器件，能够承受瞬态电压、电场和电流的干扰。 技术特点： * 高浪涌吸收能力：具有出色的吸收浪涌能力，能有效保护电子设备免受瞬间高电压和电流的干扰。 * 低ESR：低ESR值意味着其响应速度更快，从而提高了设备的整体

Micro品牌SMCJ120A-TP二三极管TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AB的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMCJ120A-TP二三极管TVS二极管DIODE 120VWM 193VC DO214AB的技术和方案应用介绍 Micro品牌旗下的SMCJ120A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 120VWM技术，具有高浪涌吸收能力，能有效保护电子设备免受过电压和过电流的侵害。此外，它还具有低电容、低电感、低损耗和高恢复速度等特点，适用于各种电子设备和电路板。 该二极管的DO214AB封装形式，使得其安装和焊接更加方便，同时也提高了其可靠性和稳定性。在实际应用中，它