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2025-02
Micro品牌SMBJP6KE8.2CA-TP二三极管TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE8.2CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE8.2CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE技术,具有7.02VWM和12.1VC的规格。该器件采用DO214AA封装,适用于各种技术方案。 首先,Micro品牌SMBJP6KE8.2CA-TP二三极管的TVS二极管具有出色的瞬态电压抑制能力,能够有效保护电子设备免受瞬间电压波动和电磁干扰的影响。其D
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2025-02
Micro品牌ESD1251P4-TP二三极管ESD,12V,DFN2020-3L的技术和方案应用介绍
Micro品牌ESD1251P4-TP二三极管ESD保护器件的技术和方案应用介绍 Micro品牌的ESD1251P4-TP二三极管是一款高性能的ESD(静电保护)器件,适用于各种电子设备中静电防护的应用。该器件具有出色的ESD性能和可靠的保护能力,能够有效地保护电路免受静电和电磁干扰的影响。 技术参数方面,ESD1251P4-TP二三极管的额定电压为12V,采用DFN2020-3L封装。其ESD性能等级达到国际标准EN/IEC 61000-4-2的第三级,具有优秀的抗静电能力。此外,该器件还具
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2025-02
Micro品牌ESD1051P4-TP二三极管ESD,10V,DFN2020-3L的技术和方案应用介绍
标题:Micro品牌ESD1051P4-TP二三极管ESD保护方案应用介绍 Micro品牌的ESD1051P4-TP二三极管是一款具有高ESD(静电释放)性能的器件,适用于各种高静电风险的电子设备。它能够在瞬间电压波动或静电释放的情况下,有效地保护电子设备不受损坏。 ESD1051P4-TP的特性和技术参数包括:高ESD性能,能承受高达10kV的瞬时放电;工作电压为10V,采用DFN2*0.20-3L封装形式,具有体积小,可靠性高的特点。这些特性使得它在各种高静电风险的环境中具有广泛的应用前景
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2025-02
Micro品牌ESD1851P4-TP二三极管ESD,18V,DFN2020-3L的技术和方案应用介绍
标题:Micro品牌ESD1851P4-TP二三极管ESD保护方案应用介绍 Micro品牌的ESD1851P4-TP二三极管是一款适用于ESD(静电放电)保护的高性能器件,适用于各种电子设备。该器件具有18V的额定电压和DFN2020-3L的小型封装,使其在各种应用中都具有出色的性能和灵活性。 技术特点: * 额定电压:18V * 静电保护性能:优秀 * 小型封装:DFN2020-3L * 可靠性高:长期使用稳定 应用方案: 1. 电子设备接口保护:ESD1851P4-TP可以用于各种电子设备
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2025-02
Micro品牌ESDLC0524P3-TP二三极管ESD,5V,DFN1616-6的技术和方案应用介绍
Micro品牌ESDLC0524P3-TP二三极管ESD应用介绍 Micro品牌ESDLC0524P3-TP是一款具有ESD保护功能的二三极管,适用于各种电子设备中。该器件采用DFN1616-6封装技术,具有高可靠性、低成本和易于集成等特点。 技术特点: 1. 极低的ESD抗阻,能够有效抑制静电放电对电路的损害; 2. 宽电压范围:5V,适用于各种电压要求的电路; 3. 高频率响应能力,可适应高速电路设计; 4. 体积小、重量轻,便于电路板布局和生产工艺。 应用方案: 1. 电源电路保护:ES
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2025-02
Micro品牌SMBJP6KE250AL-TP二三极管TVS DIODE 214VWM 344VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE250AL-TP二三极管TVS二极管DIODE 214VWM 344VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE250AL-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管,采用DIODE技术,具有出色的电气性能和可靠性。该二极管具有214VWM的额定电压和344VC的箝位电压,适用于各种电子设备的保护应用。 该二极管的DO214AA封装形式采用了小型化的设计,便于集成到各种小型化的电子设备中。这种封装形式还具有出色的热传导性能,能够快速地将功率
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2025-02
Micro品牌SMBJ20CAQ-TP二三极管600W,TVS, SMB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ20CAQ-TP二三极管600W:TVS技术与应用介绍 Micro品牌推出了一款SMBJ20CAQ-TP二三极管,其额定功率高达600W,适用于各种SMB(Small and Medium-sized Business)网络设备。这款二极管采用了先进的TVS技术,具有出色的浪涌保护性能,能够有效抵御突发的高压脉冲,确保设备安全稳定运行。 TVS(Transient Voltage Suppressor)是一种瞬态抑制器件,能够吸收大量的瞬间电流,避免设备因电压波动、电磁干
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2025-02
Micro品牌SMBJ18CAQ-TP二三极管600W,TVS, SMB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ18CAQ-TP二三极管600W:TVS技术与应用介绍 Micro品牌推出了一款SMBJ18CAQ-TP二三极管,其额定功率高达600W,适用于各种电子设备。这款二极管采用了TVS技术,具有出色的瞬态电压浪涌抑制能力,为设备提供高效、可靠的防护。 TVS是一种瞬态电压抑制器,具有极低的击穿电压和快速响应特性。它能够在瞬态电压浪涌时,迅速导通,将电压钳位在安全范围内,从而保护电子设备免受损坏。 SMBJ18CAQ-TP二三极管采用SMB技术,具有小巧的封装和快速响应特性,适
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2025-02
Micro品牌SMBJP6KE82AHE3-TP二三极管600W TVS, SMB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJP6KE82AHE3-TP二三极管600W TVS技术及应用介绍 Micro品牌旗下的SMBJP6KE82AHE3-TP二三极管是一款高性能的600W TVS二极管,适用于各种SMB技术应用场景。本文将介绍SMB技术方案及其应用介绍,并重点阐述SMBJP6KE82AHE3-TP二三极管的优势和用途。 SMB技术是一种适用于小型化、模块化、集成化电子设备的先进技术。该技术以其高效、可靠、灵活的特点,广泛应用于各种工业、商业和家庭电子产品中。SMBJP6KE82AHE3-TP
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2025-02
Micro品牌SMBJ18AQ-TP二三极管600W,TVS, SMB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ18AQ-TP二三极管600W:TVS技术与应用方案介绍 Micro品牌推出了一款新型SMBJ18AQ-TP二三极管,具有600W的功率规格,适用于各种电子设备。本文将详细介绍SMBJ18AQ-TP二三极管的技术特点、TVS技术以及应用方案。 一、SMBJ18AQ-TP二三极管技术特点 SMBJ18AQ-TP二三极管采用微型封装,具有高浪涌吸收能力,适用于各种高功率、高电压的场合。其工作温度范围广泛,能在恶劣环境下保持稳定的工作状态。此外,该器件还具有低ESR和较低的浪涌
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2025-02
Micro品牌SMBJ20AQ-TP二三极管600W,TVS, SMB的技术和方案应用介绍
Micro品牌SMBJ20AQ-TP二三极管600W:TVS技术与应用方案介绍 Micro品牌推出了一款SMBJ20AQ-TP二三极管,其额定功率高达600W,适用于各种电子设备的保护应用。这款二极管采用了TVS技术,具有出色的瞬态电压抑制能力,能够有效地保护电子设备免受瞬间电压波动和电磁干扰的影响。 TVS技术是一种瞬态电压抑制器,具有极低的击穿电压和快速响应特性。当电路中的电压超过正常值时,TVS能够迅速导通,将电压限制在允许的范围内,从而保护电路免受损坏。此外,SMBJ20AQ-TP采用
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2025-02
Micro品牌ESD1851P6-TP二三极管ESD,18V,DFN1610-2的技术和方案应用介绍
标题:Micro品牌ESD1851P6-TP二三极管ESD防护方案应用介绍 Micro品牌的ESD1851P6-TP二三极管是一款适用于电子设备ESD(静电放电)防护的器件。该器件具有高电压、低电容的特性,适用于各种需要防止静电放电的场合。 技术特点: * 额定电压为18V,具有高电压、低电容的特性,适用于各种电路设计; * 采用DFN1610-2封装,体积小,易于集成; * 具有快速响应能力,可有效抑制瞬态过电压,保护电路免受静电放电的危害; * 内置ESD保护电路,无需外部元件即可实现ES