Micro品牌SMBJ11A-TP二三极管TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ11A-TP二三极管TVS二极管DIODE 11VWM 18.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ11A-TP是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 11VWM技术，具有高浪涌吸收能力，能有效保护电子设备免受瞬间过电压和过电流的侵害。此外，它还采用了DO214AA封装，具有更小的外形尺寸，更易于集成到小型化设备中。 该二三极管TVS二极管在各种应用场景中具有广泛的应用前景。首先，它适用于计算机和通信网络中，作为电源和信号线路的防护器件，可

Micro品牌SMBJ10A-TP二三极管TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJ10A-TP二三极管TVS二极管DIODE 10VWM 17VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJ10A-TP二三极管是一款具有高能量吸收能力的TVS二极管，适用于各种电子设备的保护应用。它采用微型封装结构，适用于小型设备和小型电路板的保护。此外，它还具有快速瞬态电压抑制特性，可以有效地吸收和消除电路中的瞬态电压干扰，确保电路的稳定运行。 SMBJ10A-TP二三极管采用DIODE技术，具有优异的瞬态抑制性能和较低的漏电流。该技术通过在半导体材料

Micro品牌P6KE150A-TP二三极管TVS DIODE 128VWM 207VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE150A-TP二三极管TVS二极管DIODE 128VWM 207VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE150A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 128VWM型号，具有出色的瞬态抑制能力。该器件采用微型封装DO15，适用于各种电子设备的过电压保护应用。 该器件的技术特点包括高瞬态钳压能力、低钳压电压、低电容、高功率等。它能够在瞬态电压瞬时吸收大量能量，并将其转化为热能消散，从而保护电子设备不受损坏。此外，该器件还具有极低的漏电

Micro品牌P6KE180CA-TP二三极管TVS DIODE 154VWM 246VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE180CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 154VWM 246VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE180CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 154VWM技术，具有高吸收能特性，适用于各种电子设备。它具有高阻抗、低电容、低感应等优点，能够快速响应瞬态电压，并吸收大量的浪涌电流，保护电子设备免受瞬态电压、过电压和过电流的损害。 此外，该二极管还采用了DO15的技术包装，适用于各种环境条件下的应用。该包装方式具有高密封性，

Micro品牌SMBJP6KE11A-TP二三极管TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Micro品牌SMBJP6KE11A-TP二三极管TVS二极管DIODE 9.4VWM 15.6VC DO214AA的技术和方案应用介绍 Micro品牌SMBJP6KE11A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE技术，具有9.4VWM的额定工作电压和15.6VC的浪涌电流容量。该器件采用DO214AA封装形式，具有优异的电气性能和可靠性。 在技术应用方面，SMBJP6KE11A-TP二三极管适用于各种电子设备的保护应用，如计算机、通信、工业控制等领域的电路保护。该器件可以有效

Micro品牌P4KE200A-TP二三极管TVS DIODE 171VWM 274VC DO41的技术和方案应用介绍

Micro品牌P4KE200A-TP二三极管TVS二极管DIODE 171VWM 274VC DO41的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P4KE200A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，具有出色的浪涌保护性能。它采用DIODE 171VWM技术，具有低电容、低电阻和高能量吸收能力，适用于各种电子设备的电源接口保护。 此外，该器件还采用了274VC封装，具有更小的体积和更高的可靠性。它适用于各种嵌入式系统和物联网设备，提供高效、可靠和安全的电源保护。 此外，DO41是一种技术方案，适

Micro品牌P6KE75CA-TP二三极管TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE75CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 64.1VWM 103VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌P6KE75CA-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 64.1VWM技术，具有出色的浪涌保护性能。该器件采用DO15封装，适用于各种电子设备的电源和信号线路保护。 该器件的技术特点包括高浪涌保护能力、低吸收电流、低插入损耗和高反向电压等。这些特性使得该器件在瞬态浪涌事件中能够有效地保护电子设备，防止其受到损坏。 在实际应用中，Micro

Micro品牌P6KE36CA-TP二三极管TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE36CA-TP二三极管TVS二极管DIODE 30.8VWM 49.9VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE36CA-TP二三极管是一款高质量的TVS二极管，采用DO15的封装技术。这款二极管在各种恶劣环境下都能够提供出色的保护性能，特别适合用于各种电子设备的电源接口和各种I/O口保护。 TVS二极管是一种瞬态抑制器，能够在瞬间电压浪涌时吸收大量的电流，避免设备受到损害。P6KE36CA-TP具有优异的浪涌抑制特性，适用于各种电源和接口的过压保护。它

Micro品牌P6KE9.1A-TP二三极管TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE9.1A-TP二三极管TVS二极管DIODE 7.78VWM 13.4VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌推出了一款P6KE9.1A-TP二三极管，其出色的性能和稳定性在电子行业中得到了广泛的应用。该型号的二极管具有7.78VWM的击穿电压和13.4VC的最大耗散功率，适用于各种电路保护和信号调理场合。 该二极管采用DO15的封装形式，具有小巧轻便、易于安装的特点。其快速响应特性使其能够有效地抑制电路中的瞬态干扰，保护电路免受电磁脉冲、静电放电等干扰的影响。

Micro品牌P6KE27A-TP二三极管TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE27A-TP二三极管TVS二极管DIODE 23.1VWM 37.5VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE27A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 23.1VWM技术，具有出色的电气性能和可靠性。该器件的额定电压为37.5VC，适用于各种电子设备的保护应用。 TVS二极管是一种瞬态抑制器，能够快速响应并吸收瞬态电压、浪涌电流等有害能量，从而保护电子设备不受损坏。P6KE27A-TP二三极管的DO15封装提供了良好的热传导性能和空

Micro品牌P6KE15A-TP二三极管TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE15A-TP二三极管TVS二极管DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15的技术和方案应用介绍 Micro品牌的P6KE15A-TP二三极管是一款高性能的TVS二极管，采用DIODE 12.8VWM技术，具有高能量吸收能力，快速响应速度和出色的钳位电压控制能力。该器件采用DO15封装，适用于各种电子设备和系统中。 该器件在各种应用中具有广泛的应用前景。首先，它适用于电源保护，可以有效防止电源电压波动和干扰，确保系统稳定运行。其次，P6KE15A-TP二三极管可用于

Micro品牌P6KE18A-TP二三极管TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO15的技术和方案应用介绍

Micro品牌P6KE18A-TP二三极管TVS二极管DIODE 15.3VWM 25.2VC DO15技术应用介绍 Micro品牌的P6KE18A-TP二三极管是一种常见的TVS二极管，其具有多种技术特点和应用方案。首先，该二极管采用DO15的封装形式，适用于各种环境下的电子设备中。其次，它的额定电压为15.3VWM，最大反向电压为25.2VC，具有高阻抗和低漏电流的特点。 TVS二极管在电路中起到保护作用，可以防止瞬间电压和电流的干扰，确保电路的稳定运行。P6KE18A-TP二三极管的这些